Společnost Farnell oznámila uvedení třetí generace 650V a 1200V tranzistorů MOSFET s karbidem křemíku (SiC) od společnosti Toshiba. Tyto vysoce univerzální produkty jsou vhodné do široké škály náročných aplikací, včetně spínaných...
Ve společnosti Vishay Intertechnology nedávno představili čtyři nové integrované obvody typu e-pojistky, které v pouzdrech TDFN o velikosti 3 x 3 mm nabízí stavitelné proudové omezení a také přepěťovou ochranu OVP. Protože většina podobných...
Elektromobily – to nejsou jen baterie, ale především spousta různých elektronických součástek, často i těch výkonových. Budou k nim rovněž patřit tranzistory IGBT nebo tolik populární MOSFETy na bázi karbidu křemíku (SiC), které je však pokaždé...
V nabídce společnosti STMicroelectronics můžete aktuálně nalézt i 90-400V flyback kontrolér určený pro osvětlení s LED o výkonu až 180 wattů. K jednoduchému návrhu zde přispívají dostupné funkce samotného obvodu HVLED101, patentově chráněné...
Buzení svítivých diod je velmi vděčné téma, ke kterému má aktuálně co říct i společnost Diodes. V lednu totiž představila nejnovější budič LED, obvod AL5887. Řešení se vešlo do pouzder typu QFN s 52 vývody a odhalenou ploškou pro lepší odvod...
Elektronické součástky lze provozovat za nejrůznějších podmínek. Často nás doprovází třeba v automobilech a pokud to bude nutné, vznesou se klidně i vzhůru. Stejně jako nové výkonové hybridní moduly, které ve společnosti Microchip Technology řeší...