česky english Vítejte, dnes je pátek 29. březen 2024

Uvnitř nebo venku? V místě zátěže dávají smysl MOSFETy interní

09.01. 2017 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Regulátory napětí v čele s DC/DC měniči s integrovanými MOSFETy se postupem času vyvinuly z jednoduchých malovýkonových zdrojů definovaných vstupním napětím, výstupním napětím a také proudem až do současné podoby, kdy dokážou na malé ploše dodávat výrazně vyšší výkony a ještě k tomu monitorovat své pracovní podmínky, kterým se následně i přizpůsobují.

Aplikace, které v minulosti vyžadovaly proudy větší než 10 až 15 A, se pak povětšinou uchylovaly ke kontrolérům s vnějšími výkonovými MOSFETy. Měniče s „vysokou“ hustotou výkonu a stejně tak i spolehlivostí, umožňující jednodušší návrh se snadným layoutem a několika málo součástkami okolo, však byly docela omezeny množstvím dodávaného výkonu. A to je nepříjemné, zejména pak u síťových routerů, switchů, podnikových serverů nebo např. vestavných průmyslových systémů. Zde se totiž v místě zátěže (POL) běžně setkáváme s požadavky na 30, 40, 60 A nebo ještě více. Navíc místa pro externí tranzistory zde nebude mnoho.

Jak ostatně stojí na blogu Texas Instruments v prosincovém příspěvku Stack current with PowerStack packages for higher power POL, vývoj se naštěstí nezastavil a pokrok v oblasti nových MOSFETů, včetně technologií pro jejich zapouzdření, umožnil na takové potřeby vhodně reagovat. Výkonové prvky 2.x NexFET™ snížily svůj odpor v sepnutém stavu a v pouzdrech PowerStack™ se pak tranzistory spolu s dalšími strukturami vejdou pěkně jeden na druhý a pro danou fázi zajistí 35 až 40 A. A nejen to. Uvážíme – li aktuální novinku TI, obvod TPS546C23 (4.5V-18V, 35A PMBus Stackable Synchronous Buck Converter, celá zpráva), dostaneme se paralelním zapojením dvou pouzder typu LQFN o rozměrech jen 5 x 7 mm v místě zátěže až na celých 70 A.

TPS546C23-02

Více na www.ti.com/tps546C23-pr.

(robenek) @dps-az.cz