Vítejte, dnes je
pátek
19.
duben
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Vhodná výkonová struktura na způsob „System-in-Package“ - SiP ušetří v porovnání s diskrétními součástkami nejen spoustu místa, ale pomůže též s navýšením výkonové hustoty, třeba v zapojeních s měniči, invertory nebo budiči motorů.
Zatímco jiné dostupné moduly budou stavět na polovičním můstku s dvojicí FETů nebo rovnou podporovat trojfázové návrhy se šesti tranzistory, v případě obvodů PWD13F60 od společnosti STMicroelectronics dostaneme k zajištění kompletního stupně plného můstku jediný obvod zvládající napětí 600 V společně s proudy do 8 A, to vše navíc v rozměrech 13x11 mm. Žádný interní MOSFET proto nezůstane nevyužitý a navíc si ještě můžeme volit mezi konfigurací jednoho plného nebo též dvojice polovičních můstků.
Výrobce však strukturu nevybavuje pouze čtyřmi výkonovými MOSFETy, ale pamatuje rovněž na jejich budiče hradel, odpovídající logiku, ochrany proti nežádoucímu vedení či podpětí nebo např. bootstrap diody provázané s plovoucím buzením na vyšší straně napájení. Budiče si rovněž prošly optimalizací zajišťující spolehlivé spínání s minimem interferencí.
Více informací k SiP PWD13F60 s napájecím rozsahem již od 6,5 V a podporou logických úrovní na vstupu od 3,3 V až do 15 V najdete přímo na stránkách ST.
(robenek) @dps-az.cz
