Platforma IMS: 3 nebo 6 kW na 12 různých způsobů

Nová podpora pro výkonové polovodiče rodiny GaN bude v případě společnosti GaN Systems ve znamení vývojové platformy IMS, tedy „Insulated Metal Substrate“. Ve spojení s technologií pouzdření GaNpx a také chytrým řešením celého návrhu umožní vytěžit z tranzistorů GaN veškeré výhody potřebné k realizaci nejen menších, ale také účinnějších systémů provozovaných např. v datových centrech, automobilovém průmyslu nebo při skladování energie, kde uvažujeme výkony 3 kW a více.

Vývojová platforma bude tvořena základní deskou (GSP65MB-EVB) společně se dvěma moduly IMS pro realizaci polovičního nebo též plného můstku. Poloviční variantu tedy řešíme jedním a plnou pak se dvěma moduly IMS dostupnými navíc ve dvou výkonových úrovních, pro 3 kW (GSP65R25HB-EVB) nebo též 6 kW (GSP65R13HB-EVB). Za účelem tvorby plně funkčního výkonového stupně polovičního můstku budou přitom zahrnovat prvky GaN E-HEMT, budiče hradel, oddělené DC/DC napájení, příslušné kapacity DC sběrnice a samozřejmě též i chladič.

Jako vývojáři můžeme těžit jak z přímé vazby mezi deskami (minimalizace smyček), tak též flexibility, díky níž dostáváme na výběr dvanáct různých konfigurací, architektur a pracovních režimů. Moduly platformy IMS, které svou vertikální povahou napomáhají růstu výkonové hustoty, lze kromě toho využívat i samostatně.

(robenek) @dps-az.cz