česky english Vítejte, dnes je pátek 29. březen 2024

Vývojová deska 5MHz měniče ve znamení GaN

30.04. 2018 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Společnost GaN Systems se nedávno pochlubila vývojovou platformou pro synchronně snižující DC/DC měniče spínající na kmitočtu 5 MHz. Celý návrh stavějící na vlastních tranzistorech GaN GS61008P s Vds na úrovni 100 V (E-HEMT), Ids 90 A, odporem v sepnutém stavu Rdson 7 mΩ, Qg 12 nC a třeba i rozměry pouzdra 7,5 x 4,6 x 0,51 mm pak výrobce označuje jako GS61008P-EVBHF. Vysokorychlostní buzení s časy pod 1 ns konečně zajišťují obvody PE29101 od pSemi.

Svým záběrem deska nahrává potřebám zesilovačů třídy D, DC/DC či AC/DC konverzi, bezdrátovému nabíjení nebo např. LiDARům. 100V spínací tranzistory GaN GS61008P (Enhancement Mode, E-Mode) využívající k odvodu tepla zejména spodní stranu součástky vývojářům nabídnou velmi nízký teplotní odpor mezi přechodem a pouzdrem. Oproti tradičním MOSFETům dále vykazují mnohem vyšší účinnost a vyniknou rovněž v otázkách rychlosti spínání, parazitních kapacit, spínacích ztrát nebo teplotních charakteristik.

GS61008P

Možnosti celé vývojové platformy přiblíží přímo stránky GaN Systems.

(robenek) @dps-az.cz