Vývojová deska budí poplatně principům ToF laserové diody a využívá přitom proudy o velikosti až 28 A, zatímco šířka pulzů zde na základě technologie eGaN® vyhovující požadavkům automobilového průmyslu může dosahovat pouze 1,2 nanosekundy.
I tak by se dalo v kostce shrnout lednové sdělení společnosti Efficient Power Conversion (EPC) – výrobce velmi rychlých tranzistorů FET eGaN® s označením EPC2216 a cenou přibližně půl dolaru za jeden kus, které již můžete znát z našeho dřívějšího článku Lidar s GaN znamená vidět lépe. Rychleji a ještě dál.
A právě pro ně je nyní k dispozici též odpovídající vývojový nástroj v podobě demo desky EPC9144. Výkonovými pulzy lze proto na minimální ploše budit laserové diody, VCSEL či LED až desetkrát rychleji, než je tomu v případě ekvivalentních MOSFETů. Experimentovat je navíc možné s celou řadou zátěží různého fyzického provedení. Vývojovou desku EPC9144 si výrobce cení na 378 dolarů.
Více v celé zprávě Time-of-Flight (ToF) Demonstration Board Drives Lasers with Currents up to 28 A with 1.2 Nanosecond Pulses Using Automotive Qualified eGaN Technology.
robenek@dps-az.cz