česky english Vítejte, dnes je pátek 29. březen 2024

Rychlým FETům eGaN je dobře na desce. Ale i v autě

03.02. 2020 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Vývojová deska budí poplatně principům ToF laserové diody a využívá přitom proudy o velikosti až 28 A, zatímco šířka pulzů zde na základě technologie eGaN® vyhovující požadavkům automobilového průmyslu může dosahovat pouze 1,2 nanosekundy.

I tak by se dalo v kostce shrnout lednové sdělení společnosti Efficient Power Conversion (EPC) – výrobce velmi rychlých tranzistorů FET eGaN® s označením EPC2216 a cenou přibližně půl dolaru za jeden kus, které již můžete znát z našeho dřívějšího článku Lidar s GaN znamená vidět lépe. Rychleji a ještě dál.

A právě pro ně je nyní k dispozici též odpovídající vývojový nástroj v podobě demo desky EPC9144. Výkonovými pulzy lze proto na minimální ploše budit laserové diody, VCSEL či LED až desetkrát rychleji, než je tomu v případě ekvivalentních MOSFETů. Experimentovat je navíc možné s celou řadou zátěží různého fyzického provedení. Vývojovou desku EPC9144 si výrobce cení na 378 dolarů.

EPC9144

Více v celé zprávě Time-of-Flight (ToF) Demonstration Board Drives Lasers with Currents up to 28 A with 1.2 Nanosecond Pulses Using Automotive Qualified eGaN Technology.

robenek@dps-az.cz