Vítejte, dnes je
sobota 20.
duben
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
S technologiemi GaN se budeme díky skvělým vlastnostem setkávat stále častěji (na webu DPS Elektronika od A do Z jsme např. nedávno psali Lidar s GaN znamená vidět lépe. Rychleji a ještě dál). Mohli bychom ale místo „pouhých“ tranzistorů dostat v rámci společného monolitického čipu raději hned celý výkonový stupeň? Společnost Efficient Power Conversion (EPC) říká ano. A ve své tiskové zprávě z poloviny března přidává i další podrobnosti.
Prvotina z nové rodiny produktů, která byla navržena třeba pro účely 48V DC/DC konverze v aplikacích s požadavkem na vysokou hustotu výkonu, ponese označení EPC2152 (ePower™ Stage, 80 V, 12,5 A). Vnitřní zapojení budiče zakončeného polovičním můstkem složeným z tranzistorů FET eGaN® vidíme na obr. níže. Celek tak zabírá pouze 3,9 mm x 2,6 mm x 0,63 mm. Budeme-li navíc na spínacím kmitočtu 1 MHz snižovat ze 48 V na výstupních 12 V, dosahuje takový stupeň špičkové účinnosti okolo 96 %, zatímco dále výrazně snižujeme velikost zastavěné plochy na desce.
Podrobněji v celé zprávě EPC Redefines Power Conversion with the Release of ePower Stage IC Family of Products.
robenek@dps-az.cz
