česky english Vítejte, dnes je pátek 29. březen 2024

GaN v autech aneb od wattů až ke kilowattům

14.12. 2020 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Ve společnosti Texas Instruments v listopadu představili vůbec první polem řízené tranzistory GaN FET s integrovaným buzením hradla (2,2 MHz), robustními ochranami a také pokročilými možnostmi pro řízení napájení, které lze navíc použít v náročném prostředí automobilového průmyslu.

U palubních nabíječek, nebo např. v rámci průmyslových, spínaných zdrojů napájení, bude proto možné s novou generací 650V a 600V GaN FETů dosahovat dvojnásobné hustoty výkonu a také maximální možné účinnosti až 99 procent, zatímco se budou dále snižovat i výsledné rozměry řešení, které tím vhodně nahrává současné elektrifikaci vozidel od kterých je vyžadováno nejen rychlejší dobíjení, ale i delší dojezd. Vyšší míra integrace zde vývojářům umožňuje, aby se zbavili více než deseti, běžně vyžadovaných součástek. Při konfiguraci v polovičním můstku má kromě toho každý z nových 30mΩ tranzistorů FET podporovat při konverzi napájení výkony až 4 kW.

gan-fet

Podrobněji v celé zprávě TI introduces industry's first automotive GaN FET with integrated driver, protection and active power management.

robenek@dps-az.cz