česky english Vítejte, dnes je čtvrtek 28. březen 2024

EPC2067: 40V FETy eGaN ještě lépe

13.12. 2021 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Pokud hledáte 40V tranzistory eGaN® FET, které by pomohly vyhovět požadavkům výpočetních, telekomunikačních a dalších síťových aplikací na vysokou hustotu výkonu, společnost Efficient Power Conversion má pro vás řešení, které se znovu tak rádo vymezí vůči tradičním MOSFETům.

Nedávno představené spínače s typickým odporem v sepnutém stavu 1,3 mΩ ponesou označení EPC2067 a díky svým rozměrům 2,85 x 3,25 mm se uplatní všude tam, kde nelze jen tak plýtvat místem. Běžně dostupné prvky, které bez potíží zvládají kmitočet 1 MHz, zapojíme třeba na sekundární straně LLC DC/DC měniče pro konverzi napájení z 40 – 60 V na výstupních 12 V.

Novinka, za kterou při odběru jednoho tisíce kusů zaplatíme zhruba 2,7 dolaru, nabídne oproti předchozí generaci 40V FETů GaN ještě lepší parametry a také zajímavější cenu. Přesvědčit se o tom lze i díky vývojové desce EPC90138 pro návrhy s polovičním můstkem a jeho vlastními budiči (40 V / 40 A).

EPC2067 (png)

Více informací najdete v celé zprávě 40 V eGaN FET Ideal for High Power Density Telecom, Netcom, and Computing Solutions Now Available from EPC.

robenek@dps-az.cz