česky english Vítejte, dnes je pátek 26. duben 2024

700 W pulzního výkonu nových LDMOS od NXP

26.06. 2017 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Společnost NXP představila kompaktní řešení 700 W výkonových tranzistorů LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) AFV10700H určených pro vf aplikace, např. ADS-B, spolu s referenčním zapojením pracujícím v pásmu 1 030 až 1 090 MHz (celá zpráva). Nabídka prvků LDMOS od NXP pro oblast letecké elektrotechniky od 960 až do 1 215 MHz tak nyní pokrývá deset různých výkonových úrovní od 10 až do 1 300 wattů.

Podrobněji na stránkách výrobce zde.

(robenek) @dps-az.cz