Vítejte, dnes je
středa
01.
květen
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Ať se již budeme pohybovat v audio technice, laserových systémech nebo nás zajímají spíše DC/DC měniče sloužící např. datovým centrům či bezdrátovému nabíjení s vysokou hustotou výkonu, koncové stupně mohou ve všech případech stát, ale také padat, právě na svých spínacích charakteristikách. Precizní „dodávka“ megahertzových pulzů do připojené zátěže si nepochybně žádá velmi rychlé tranzistory a stejně tak i jejich budiče.
Jednu takovou kombinaci, řešenou formou nové vývojové desky, nyní nabízí společnost GaN Systems. Osazuje zde celkem čtyři 100 V výkonové tranzistory GS61004B typu E-HEMT (Enhancement mode - High Electron Mobility Transistor) s proudy 45 A a odporem v sepnutém stavu 15 mΩ ve spojení se dvěma rychlými budiči PE29102 od Peregrine Semiconductor, to vše v konfiguraci plného můstku, např. pro zesilovače pracující ve třídě D.
S tranzistory GaN se na desce GS61004B-EVBCD pojí 100 MHz a s jejich budiči, jejichž náběžné ani sestupné hrany nepřekračují 1 ns, pak 40 MHz (viz také celou říjnovou zprávu GaN Systems’ Eval Board Simplifies MegaHertz Power). Pro případ polovičního můstku a jeho desky pak výrobce budiče spojuje síly s firmou EPC.
(robenek) @dps-az.cz
