Vítejte, dnes je
pátek
09.
květen
2025
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Alliance Memory rozšiřuje svou nabídku SRAM pamětí SMOS o nový 8M integrovaný obvod (512 x 16 bitů) v TSOP-I pouzdru s 48 piny a rozměrem 12 x 20 mm. Takovouto součástku v současnosti dodává velmi málo distributorů, přičemž se jedná o velmi žádané zboží. Hlavními výhodami jsou krátký přístupový čas paměti (55 ns) nízké napájecí napětí (od 2,7 do 3,6 V).
S nízkým zdrojovým napětím jde ruku v ruce i nízký napájecí proud (30 mA), který klesá na 1,5 µA v pohotovostním režimu. Integrovaný obvod zajišťuje vysokou spolehlivost a funkčnost nenáročné přenosné elektroniky prakticky pro všechna odvětví. Speciálně jej lze využít jako zálohu pro stabilní paměti.
Paměti AS6C8016-55TIN jsou vyráběny jako velmi výkonné a spolehlivé CMOS obvody se stabilním pohotovostním proudem a provozními teplotami 40 – 85 °C. Nejnovější SRAM paměti AS6C8016-55TIN můžeme získat i ve variantách 64K, 256K, 1M, 2M, 4M, 8M, 16M a 32M.
Více informací zde.
