Vítejte, dnes je
pátek
26.
duben
2024
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Společnost Farnell v tento den oznámila, že na trh začala dodávat inovativní řadu výkonových FET tranzistorů s Nitridem Galia, vyráběných společností Nexperia. GaN FET tranzistory FETse vyznačují zvýšenou hustotou a účinnějším využitím energie při malých rozměrech, čímž umožňují vývoj účinných systémů při nižších nákladech a poskytují potenciál ke snižování ztrát při převádění energie u elektrických vozidel, v komunikačních sítích 5G, v oblasti Internetu věcí a v dalších oblastech. Tato inovativní řada poskytuje reálná řešení, která mohou být využívána konstruktéry, jelikož neustále se zpřísňující legislativa a rostoucí tlak na snižování emisi CO2 vyžadují posun k účinnějším způsobům přeměny energie a zvýšenému podílu elektrifikace.
Technologie GaN překonává mnohá z omezení stávajících technologií, mezi které patří například technologie využívající tranzistory IGBT a SiC na bázi křemíku, díky čemuž poskytuje přímé i nepřímé výhody související se zvyšováním výkonu a účinnosti v celé řadě oblastí zahrnujících přeměnu energie. U elektrických vozidel umožňuje použití technologie GaN přímé snižování výkonových ztrát, které mají nepříznivý dopad na dojezd vozidla. Účinnější přeměna energie rovněž snižuje potřebu chladicích systémů, které odvádějí vyvíjené teplo, a současně přispívá ke snižování hmotnosti vozidel a složitosti systémů, což opět umožňuje dosahování delšího provozního dojezdu nebo stejného dojezdu při použití menšího akumulátoru. Výkonové GaN FET tranzistory se dobře uplatňují také v datových centrech, telekomunikačních infrastrukturách a různých průmyslových aplikacích.
GaN FET tranzistory poskytují vynikající výkon jako součást řešení, která zahrnují například přímé spínání pro AC-DC PFC, založené na topologii Totem Pole, kompletní můstky s fázovým posunem LLC (s rezonanční nebo pevně nastavenou frekvencí) pro nepřímé spínání, všechny DC-AC technologie invertorů a AC-AC maticové měniče.
K hlavním výhodám patří:
Lee Turner, zastávající u společnosti Farnell funkci Global Head of Semiconductors and SBC, prohlásil: „Společnost Nexperia je proslulá svým rozsáhlým portfoliem inovativních polovodičových výrobků a nás těší, že můžeme pokračovat v podpoře svých zákazníků tím, že nabídku společnosti Farnell doplníme výkonovými GaN FET tranzistory. Technologie GaN stojí v popředí, pokud jde o navrhování energeticky účinných řešení, a tyto nové výrobky se budou v rozhodující míře podílet na budoucích inovacích v oblastech Internetu věcí, automobilového průmyslu a komunikačních sítí.“
S cílem poskytnout podporu zákazníkům, kteří hledají možnost, jak se s technologií GaN FET seznámit, uspořádaly společnosti Farnell a element14 ve vzájemné součinnosti webový seminář, který povede Ilian Bonov, GaN International Product Marketing Engineer, ze společnosti Nexperia a který má umožnit „hlubší proniknutí“ do této nové technologie. Seminář se uskutečnil pod názvem „Designing High-Efficiency and Robust Industrial Power Supplies with Nexperia GaN FETs“. Tento webový seminář poskytl přehled o charakteristických prvcích technologie Cascode používané společností Nexperia a o výhodách topologií určených pro přímé i nepřímé spínání a rovněž zahrnoval případovou studii týkající se 4 kW Totem Pole PFCs.
Chcete-li se o tomto webovém semináři dozvědět více a zpětně sledovat jeho průběh, navštivte stránky https://www.element14.com/community/events/5572/l/designing-high-efficiency-and-robust-industrial-power-supplies-with-nexperia-gan-fets
Tranzistory řady GaN FET vyráběné společností Nexperia jsou dodávány v regionu EMEA přímo společností Farnell, v Severní Americe prostřednictvím společnosti Newark a v regionu APAC prostřednictvím společnosti element14.
Originální tisková zpráva.
