česky english Vítejte, dnes je sobota 27. listopad 2021

Buzení hradel MOSFETů na bázi SiC s novinkami od ST

26.11. 2021 | Součástky - novinky
Autor: Jan Robenek
01.jpg

O karbidu křemíku se poslední dobou ve výkonové elektronice hodně mluví. Úspěch takto zvolených tranzistorů však bude záviset i na jejich správném řízení, ostatně jako vždy. Vývojáři mohou nyní sáhnout po dvou nových integrovaných obvodech s logem společnosti STMicroelectronics skupiny STGAP2SiCSN, které takové úkoly zajistí nejen rychle, ale i s patřičnou spolehlivostí danou nejen přítomnou izolační bariérou.

Jednokanálové prvky hostí pouzdra typu SO-8 a pokud již chceme vybírat, zvolíme buď verzi se samostatnými výstupy umožňujícími nezávislou optimalizaci v otázce časování, nebo sáhneme po druhé variantě, která již s jediným výstupem aktivně ošetří vše okolo Millerovy kapacity a jejího vlivu na stabilitu výkonového systému. Obvodové řešení podporuje práci s běžnou TTL či CMOS logikou a mezi vstupem a výstupem uvažuje celkové zpoždění 75 ns. V režimu proudového zdroje či nory smí při pokojové teplotě výstupem protékat až 4 A.

STGAP2SiCSN (jpg)

Více informací najdete v celé zprávě Robust Isolated SiC Gate Driver from STMicroelectronics Saves Space in Narrow SO-8 Package.

robenek@dps-az.cz

Partneři

eipc
epci
imaps
ryston-logo-RGB-web
mikrozone
mcu
projectik