Vítejte, dnes je
pondělí
18.
srpen
2025
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 1,2kV MOSFETy SiC. Nyní jako X.PAK
Autor: Jan Robenek
Ve společnosti Nexperia se nedávno pochlubili řadou vysoce efektivních a zároveň i robustních, polem řízených tranzistorů MOSFET průmyslové třídy na bázi karbidu křemíku (SiC) s průrazným napětím mezi vývody Drain a Source na úrovni 1200 V. Výrobce přitom slibuje prvotřídní teplotní stabilitu, definovanou inovativní technologií zapouzdření SMD s možností chlazení na své horní straně, která se nazývá X.PAK.
Zmíněné kompaktní vyhotovení o rozměrech 14 mm x 18,5 mm zde bude spojovat výhody povrchové montáže s efektivitou chlazení elektronických součástek, osazovaných jinak na desce do vrtaných děr, čímž také zajistíme optimální odvod a rozptýlení ztrátového tepla.
Z možných aplikací stojí za zmínku třeba systémy BESS (battery energy storage system), střídače ve fotovoltaice, řízení motorů nebo např. záložní zdroje UPS. Samostatnou kapitolu pak tvoří infrastruktura pro nabíjení elektromobilů. Nexperia do začátku počítá s prvky, vykazujícími odpor v sepnutém stavu 30, 40 či 60 mΩ (NSF030120T2A0, NSF040120T2A1, NSF060120T2A0), přičemž v úvahu výhledově přichází rovněž i další typy.
Více informací již najdete v celé zprávě Nexperia launches industry leading 1200 V SiC MOSFETs in top-side cooled X.PAK.
robenek@dps-az.cz
