Vítejte, dnes je
sobota 07.
červen
2025
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 
Firma ROHM přichází na trh s novými výkonovými moduly SiC, řešenými na způsob „čtyři v jednom“ nebo také „šest v jednom“, odpovídající dané topologii. Řešení má společné pouzdro typu HSDIP20 a zabírá zde prostor o velikosti 38,0 mm × 31,3 mm × 3,5 mm. S výhodou se uplatní třeba u palubních nabíječek OBC pro elektrovozidla a souvisejících korekcí účiníku PFC nebo také měničů LLC, které za nimi dále následují.
Součástí nabídky je přitom šestice modelů se jmenovitým rozsahem 750V (BSTxxx1P4K01) společně se sedmi dalšími produkty, které nyní počítají s napětím 1200 V (BSTxxx2P4K01). Vše nezbytné tak bude již přímo součástí kompaktního modulu. Výrobce si rovněž zakládá na vynikajícím odvodu tepla, takže lze při zatěžování předejít zbytečnému nárůstu teploty čipu. Pokud např. u OBC s funkcí korekce PFC obvyklé zapojení, stojící na šestici diskrétních tranzistorů MOSFET na bázi karbidu křemíku s možností chlazení na horní straně pouzdra porovnáme za stejných podmínek s modulem ROHM „šest v jednom“, vykazuje nám nyní pouzdro typu HSDIP20 při 25 wattech zhruba o 38 °C nižší teplotu. A to ještě nehovoříme o menších rozměrech.
Více informací najdete v celé zprávě ROHM Develops New High Power Density SiC Power Modules.
robenek@dps-az.cz
