Vítejte, dnes je
neděle
28.
červen
2026
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky 700V tranzistory PowerGaN od ST pro nižší desítky ampér
Autor: Jan Robenek
Servery s AI, robotika, průmyslové systémy nebo např. domácí spotřebiče – zde všude najdou místo nové 700V součástky PowerGaN od firmy STMicroelectronics. Potřebujete zvýšit účinnost a ještě lépe nakládat s omezeným prostorem na desce? V tom případě vybírejte hned ze sedmi novinek na bázi nitridu galia (GaN) – výkonových tranzistorů HEMT, umožňujících trvalé průtoky proudu v rozmezí šesti až dvaceti devíti ampér, to vše v kontextu typického odporu v sepnutém stavu od 53 mΩ do 270 mΩ.
Výkonové polovodiče nám při konverzi napájení poslouží buď jako náhrada za dřívější MOSFETy nebo je rovnou použijeme v nových topologiích s vyššími spínacími kmitočty. Výrobce počítá s pouzdry pro povrchovou montáž typu DPAK, TO-LL či PowerFLAT. Rozměrově zde v prvním případě dosahují s trojicí vývodů třeba jen 6,10 mm × 6,60 mm (SGT350R70GTK, 6 A a 270 mΩ). Na opačném konci poté stanuly 700V tranzistory SGT080R70ILB (29 A, 60 mΩ) o velikosti 8 × 8 mm, kde již např. v Kelvinově zapojení počítáme s dvojím vyvedením Source.
Více informací najdete v celé zprávě STMicroelectronics’ new GaN semiconductors improve energy efficiency for high-demand applications from AI servers to robotics.
robenek@dps-az.cz
