česky english Vítejte, dnes je pondělí 22. červenec 2024

K boji s padělky stačí jediný vývod EEPROM. Další už nechceme

DPS 2/2018 | Články
Autor: Ing. Jan Robenek

Existují součástky, které „trpí“ nedostatkem vývodů, a jednotlivé piny se tak musí podělit o řadu funkcí. Ne že by to v případě novinky od Microchipu bylo jinak. Vývod SI/O v porovnání se zemí GND poslouží také více účelům, tím ale výčet končí.

Pouzdro typu SOIC s osmi vývody si tak může dovolit ponechat tři čtvrtiny svého rozhraní nezapojeného, tzv. NC. Provedení na způsob WLCSP se čtyřmi piny na tom bude ještě lépe, stejně jako třívývodové SOT23, natož pak verze XSFN, která jde na přiložené grafice ještě dál a uvažuje pouze Single Input/ Output spolu se zemí.

K boji s padělky stačí jediný vývod EEPROM. Další už nechceme

Budujeme značku

Výhody jednoduchého zapojení, které mezi polovodiči odjakživa patřilo spíše tak diodám, spojíme na obr. 2 s „jednovodičovou“ dvouvývodovou pamětí EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory). Oproti dřívější variantě AT21CS01 s provozním napětím v rozmezí od 1,7 V až do 3,6 V aktuálně díky AT21CS11 uvažujeme až 4,5 V a lépe se tak přizpůsobíme zapojením s Li-Ion články [1]. Spodní hranice se však posunula na 2,7 V.

Pokud jde o možné využití, Microchip (Atmel) ve své listopadové zprávě zmiňuje záležitosti spojené s identifikací či ověřováním pravosti, např. u kabelů, náplní do tiskáren a dalších systémů, které nám pro zbývající elektronické součástky příliš místa nedopřejí [2]. Jako uživatelé mnohdy nadšení nejsme, z pozice výrobce se však na ochranu svých produktů a prosazování jejich originálních náhradních dílů díváme úplně z jiného úhlu. Zvláště, když si sériovou 1kbitovou paměť (128 × 8) spolu s jedinečným 64bitovým sériovým číslem v Microchipu při odběru 10 000 kusů cení již na 0,15 dolaru.

K boji s padělky stačí jediný vývod EEPROM. Další už nechceme1

SI/O a GND. Nic víc, nic míň

Ve vysokorychlostním režimu nabízí obě součástky maximum v podobě 125 kbps, jeden milion cyklů zápisu, udržení informací po dobu jednoho století a v neposlední řadě též odolnost vůči elektrostatickým výbojům ESD dle IEC 61000-4-2, úroveň 4 (±8 kV kontakt, ±15 kV vzduch).

Energii pro napájení získává obvod prostřednictvím svého signálového vývodu SI/O, k němuž připojíme pull-up rezistor – pro 4,5 V nejvýše 5,4 kΩ. Za stejných napěťových podmínek tak dostáváme typické odběry při čtení 0,08 mA, pro zápis 0,2 mA a poplatně režimu standby 0,7 μA. Společnou jednovodičovou sběrnici může sdílet celkem až osm jednotek slave AT21CSxx navržených pro teplotní rozsah od –40 °C až do +85 °C. Paměť EEPROM pracuje s několika oblastmi, které lze nezávisle a rovněž i trvale ochránit proti zápisu, a vývojová deska v hodnotě jednoho sta dolarů pak nese označení DM160232 [3].