česky english Vítejte, dnes je čtvrtek 28. březen 2024

MOSFETům sluší malý odpor. A ještě menší pouzdra

15.03. 2019 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

S velkým odporem v autech nepochodíte, zvláště když budeme uvažovat polem řízené tranzistory provozované např. v aplikacích od 30 wattů až do 0,3 kW. Stejně tak budou ale důležité i výsledné fyzické rozměry součástky.

V případě nových MOSFETů Nexperia v miniaturních pouzdrech typu LFPAK33 se výrobci podařilo dosáhnout zajímavé číselné shody: součástka zabere zhruba 3x3 mm a její odpor v sepnutém stavu Rds(on) může dosahovat pouhých 3,3 mΩ (maximum pro 10 V). 40V tranzistory (max. Vds) se pyšní nálepkou AEC-Q101, požadavky zmíněného standardu převyšují více než dvojnásobně, využijí technologie Trench 9 a v podobě verzí BUK7M3R3-40H a BUK9M3R3-40H je u hradla odlišíme podporou standarních nebo též logických úrovní (SL/LL). Nejvyšší proud Id zde pak dosahuje 80 A. Součástek jinak napočítáme rovných 16 a z pohledu vnitřního odporu či přípustné proudové zatížitelnosti se bude u výše zmíněných spínačů jednat o nejlepší výsledky v řadě. Možná náhrada struktur pouzdřených ve stylu DPAK se přímo nabízí.

LFPAK33

Více v celé zprávě Nexperia launches 40 V low RDS(on) automotive MOSFETs in a 3x3 mm footprint for demanding powertrain applications.

robenek@dps-az.cz