česky english Vítejte, dnes je čtvrtek 11. srpen 2022

FETy GaN v generaci č. 5. Plocha zůstává, klesá však odpor

01.08. 2022 | Vývoj - novinky
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Společnost Efficient Power Conversion nedávno rozšířila svou nabídku nízkonapěťových tranzistorů GaN o FETy s označením EPC2066, které lze popsat napětím Vds = 40 V, proudem Id = 90 A (pulzně pak dokonce 639 A) nebo též odporem v sepnutém stavu Rds(on) na úrovni 1,1 mΩ.

Nízké ztráty a malé rozměry (6,05 mm x 2,3 mm) z nich budou činit vhodný spínací prvek např. pro sekundární stranu DC/DC měničů, které s vysokou hustotou výkonu převádí v nejnovějších serverech či systémech s umělou inteligencí vstupní napětí 40 – 60 V na výstupních 12 V.

Součástky EPC2066 by měly být kompatibilní s předchozím produktem firmy EPC čtvrté generace, tranzistorem EPC2024 (na stránkách DPS Elektronika od A do Z jsme před rokem psali též 1226 wattů na krychlový palec s eGaN FETy v návrhu 1kW zdroje). Aktuální pátá generace pak v otázce velikosti plochy vs. vykazovaného odporu v sepnutém stavu nabídne při uvážení stejných rozměrů odpor snížený o 27 procent.

Více informací již najdete v celé zprávě The Smallest 40 V, 1.1 mΩ FET in the World from EPC Enables State-of-the-Art Power Density.

robenek@dps-az.cz

Partneři

eipc
epci
imaps
ryston-logo-RGB-web
mikrozone
mcu
projectik