Řešení na bázi SiC pro efektivní výkonové návrhy ukáže webinář Mouser a Infineon

Řešení na bázi SiC pro efektivní výkonové návrhy ukáže webinář Mouser a Infineon

Mouser Electronics, autorizovaný globální distributor nejnovějších polovodičů a elektronických součástek se spojil s Infineon Technologies a přináší vývojářům nový webinář s názvem „Breaking Voltage Barriers: Enabling Compact, Efficient Designs with High Voltage Discretes“. Bezplatný internetový seminář se uskuteční 24. června 2025 v 17:00 středoevropského času (CET).

Výkonová elektronika zažívá překotnou transformaci, způsobenou požadavky na rostoucí účinnost, lepší tepelné vlastnosti, ale také kompaktnější systémy. Aplikace používají vyšší napětí a vývojáři proto stále častěji vyhledávají technologie, které zajistí lepší výsledky, aniž by přitom zvyšovaly složitost řešení.

Webinář ukáže, jak zmíněné vysokonapěťové součástky umožní realizovat návrhy s novými úrovněmi flexibility, zatímco je rovněž podporován vývoj účinnějších a kompaktnějších systémů. Účastníci získají více informací o rozvíjejících se technologických trendech, vytvářejících podobu výkonové techniky, ale i nástrojích či možnostech od firmy Infineon Technologies, které byly navržené tak, aby zjednodušily zavedení technologie SiC a zkrátily dobu, potřebnou k vývoji.

Připojte se k internetovému semináři a získejte více informací na téma

• jak 1200V a 2000V součástky na bázi SiC umožňují navrhnout v celé řadě aplikací kompaktní a také účinná řešení
• výhod samostatných prvků SiC při dosahování tepelné účinnosti a flexibility návrhu
• jak nástroje, možnosti a technologie SiC od firmy Infineon zjednoduší proces návrhu a umožní dostat se i rychleji na trh.

Mezi inovativní výkonová řešení od firmy Infineon patří

• 1200V MOSFETy na bázi karbidu křemíku CoolSiC™ G2, které se vyznačují efektivní a spolehlivou činností s univerzálními možnostmi zapouzdření, takže vyhoví požadavkům různých aplikací
• 1700V Trench MOSFETy CoolSiC™ na bázi SiC, vyznačující se „revolučním“ materiálem s optimalizací pro topologie flyback, používané u výkonových vysokonapěťových aplikací
• 2000V MOSFETy CoolSiC™ s rostoucí hustotou výkonu, zatímco se nevzdáváme spolehlivosti systému, a to ani v případě náročných podmínek s vysokým napětím a spínacími kmitočty

Webinář moderuje Mark Patrick (Technical Content Director, Mouser Electronics, EMEA) a jako hostující řečník zde vystoupí Syeda Qurat ul ain Akbar (Senior Staff Product Applications Engineer, Infineon Technologies AG).

Přihlaste se ke sledování webináře naživo nebo i jeho záznamu, jakmile bude dostupný, na stránkách

https://emea.info.mouser.com/webinar-infineon-highvoltage-emea/.

Další informace o nabídce firmy Infineon Technologies naleznete na

https://eu.mouser.com/manufacturer/infineon/.