česky english Vítejte, dnes je pátek 27. červen 2025

1200V MOSFETy SiC v D2PAK-7 s důrazem na teplotní stabilitu

27.06. 2025 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Nabídka základních elektronických součástek od společnosti Nexperia se rozrůstá o řadu vysoce účinných a také robustních tranzistorů MOSFET na bázi karbidu křemíku (SiC), vhodných pro nasazení v automobilovém průmyslu. Výrobce slibuje odpor v sepnutém stavu na úrovni 30, 40 nebo i 60 mΩ. To ale není vše.

Zmíněné polovodiče (NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q, NSF060120D7A0-Q) s prvotřídním FoM (figures-of-merit) byly dříve dodávány jako průmyslové prvky a nyní se pyšní certifikací AEC-Q101. Hodí se proto do palubních nabíječek OBC, trakčních invertorů v elektrovozidlech, ale i DC/DC měničů, systémů HVAC apod. Nexperia součástky nabízí ve stále oblíbenějším provedení pouzder typu D2PAK-7, určených pro povrchovou montáž, které se pro automatizované provozy hodí lépe, než spínací prvky k osazení do vrtaných děr.

U odporu RDS(on) však nesmíme sledovat pouze nominální hodnotu, protože se s teplotou dále citelně zvyšuje. V případě našich tranzistorů výrobce např. slibuje skvělou stabilitu s nárůstem jmenovitého odporu v rozsahu od 25 °C do 175 °C jen o 38 %.

Více informací najdete v celé zprávě Nexperia launches industry leading automotive-qualified 1200 V silicon carbide MOSFETs in D2PAK-7 packaging.

robenek@dps-az.cz