Bipolární tranzistory jako dvě pomyslné diody od firmy Diodes? Díky dvanácti novinkám, které přišly na svět koncem loňského roku, však dostaneme o poznání víc. Výrobci se podařilo výrazněji snížit nejen fyzické rozměry, ale také ztráty, ohřívající PN přechody při vedení proudu. A to se v automobilovém průmyslu počítá.
Zmíněné NPN či PNP tranzistory budou v řadách DXTN/P 78Q, resp. 80Q, kde jejich napětí Vceo pokaždé dosahuje buď 30 V, 60 V nebo též 100 V. Díky trvalému proudu tekoucímu kolektorem na úrovni až 10 A, špičkově pak dvojnásobku, je nasadíme v řadě systémů, napájených ze zdroje 12 V, 24 V nebo i 48 V. V úvahu přichází buzení hradel MOSFETů či tranzistorů IGBT, spínání zátěže na vyšší či nižší straně napájení, lineární stabilizace napětí, spínané DC/DC měniče, motory, solenoidy, relé apod.
Pod výslednou efektivitou se podepisuje nízké saturační napětí Vce(sat), při 1 A třeba jen 17 mV, nebo odpor Rce(sat) již od 12 mΩ. Robustní spínače (HBM 4 kV, CDM 1 kV) pracují do +175 °C a typická jsou pro ně i pouzdra typu PowerDI®3333-8 o velikosti pouhé 3,3 × 3,3 mm, kterými se dále vymezují vůči tradičnímu SOT223. K dispozici jsou pochopitelně i standardní verze DXTN/P 78 či 80 pro komerční nebo průmyslové systémy.
Více informací najdete v celé zprávě Ultra-Low VCE(sat) NPN and PNP Bipolar Transistors from Diodes Incorporated Maximize Power Density and Efficiency in Compact Automotive Designs.
robenek@dps-az.cz