88A drobotiny HEMT v PQFN. Ideál pro 12V zdroje

Dvojka, trojka, dvě šestky a před všemi ještě zkratka EPC, odkazující na „Efficient Power Conversion“. S polem řízenými spínacími tranzistory eGaN^® typu HEMT, skloňujícími nitrid galia (na stránkách DPS Elektronika od A do Z jste mohli také číst Svezete se na vlně GaN? Je na vzestupu), však bude aktuálně spojována i hezká jednička v podobě ceny EPDT 2025 za produkt roku v kategorii výkonový tranzistor (celá zpráva). A nejen to.

Výrobce na přelomu měsíce oznámil, že u zmíněných prvků EPC2366, coby prvního zástupce své rodiny „power“ tranzistorů eGaN^® sedmé generace (Gen 7), spustil také sériovou výrobu. Pro unipolární strukturu, provozovanou v režimu obohacování kanálu, je příznačné napětí Vds = 40 V, typický odpor v sepnutém stavu 0,84 mΩ, trvalý proud Id, tekoucí kolektorem, na úrovni 88 A nebo také pulzní zatížitelnost v podobě 360 A, kterou nám ale při pokojové teplotě dále omezuje doba 300 μs.

Tranzistory, navržené speciálně za účelem DC/DC konverze napájení, dostaneme v pouzdrech typu PQFN o velikosti 3,3 × 2,6 mm, pro které v EPC rovněž slibují prvotřídní ukazatel (FoM) Ron×Qg, dosahující 12,6 mΩ.nC. Vývojáři mohou těžit i z referenčního návrhu EPC90167 – kompletní desky polovičního můstku, včetně buzení a dalších nezbytných prvků.

Více informací najdete v celé zprávě EPC Launches Its First Seventh-Generation (Gen 7) eGaN Power Transistor, the 40 V EPC2366, into Mass Production.

robenek@dps-az.cz