Motory, střídače i nabíječky s budiči tranzistorů SiC. Zdání diody klame

Rodina nových obvodů EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I od firmy Infineon Technologies – to nejsou pouze další integrované budiče hradla tranzistorů. Vývojáři zde totiž mohou dále počítat i s galvanickým oddělením nebo vstupy, napodobujícími činnost optoelektronického vazebního členu.

Co si však pod označením „opto-emulator input“ máme představit? Předně znovu dva vývody, pomyslnou anodu i katodu, tedy zdánlivý p-n přechod, který však nebude za účelem přenosu signálu v žádném případě vyzařovat světlo. To je ale výhodné, protože lze do cesty dále postavit bloky Tx a Rx, oddělené bezjádrovým transformátorem. Vše navíc v rámci šestivývodových pouzder typu DSO s povrchovými či vzdušnými vzdálenostmi přes 8 mm.

Izolované obvody (UL 1577, na cestě je též IEC 60747-17) jsou vývodově kompatibilní se stávajícími systémy a vývojáři tak mohou snadno přejít na technologie SiC na bázi karbidu křemíku, aniž by museli přepracovávat opto řízení. Tři varianty pak budou podporovat jak tradiční křemíkové MOSFETy, tak též IGBT nebo výše zmiňované silové prvky SiC. Výrobce pokaždé slibuje výstupní proudy do 6,5 A, zatímco se dále pyšní CMTI přes 300 kV/µs, zpožděním 40 ns nebo vzájemnou časovou souhrou do 10 ns.

Více informací najdete v celé zprávě Infineon launches its first isolated gate driver ICs with opto-emulator input supporting next-generation SiC applications.

robenek@dps-az.cz