Vítejte, dnes je
pondělí
07.
červenec
2025
Odborný časopis a portál zaměřený na vývoj a výrobu elektroniky MOSFETy v pouzdrech LFPAK56 s odporem 0.57 mΩ
Autor: Jan Robenek
Ve společnosti Nexperia koncem ledna představili své výkonové tranzistory MOSFET s dosud nejnižším odporem v sepnutím stavu Rds(on). Součástky s označením PSMNR51-25YLH tak budou při 25 V definovat nový firemní standard na úrovni 0,57 mΩ. Takových výsledků lze navíc díky speciální technologii NextPowerS3 dosahovat, aniž přitom ohrozíme další důležité předpoklady spojované třeba s maximálním proudem Idmax, bezpečnou pracovní oblastí SOA, viz také obrázek níže, či nábojem Qg.
Spínací prvky s nízkým vlastním odporem zajistí v celé řadě aplikací, např. při synchronním usměrňování, řízení motorů či ochraně baterií, menší výkonové ztráty a tudíž i rostoucí efektivitu provozu. Některé součástky od jiných výrobců se srovnatelným Rds(on) se však potýkají s kompromisy v otázce SOA, tedy míry odolnosti MOSFETu, a omezují rovněž své dosažitelné proudy Id. Nexperia však v případě tranzistorů PSMNR51-25YLH v pouzdrech typu LFPAK56 vykazuje maximum až na úrovni 380 A, která není pouze nějakou vypočtenou hodnotou.
Více v celé zprávě Nexperia extends market-leading low RDS(on) MOSFET performance with the release of its 0.57 mΩ product in LFPAK56.
robenek@dps-az.cz
