česky english Vítejte, dnes je úterý 05. březen 2024

Pro FETy GaN zvolte pouzdra CCPAK

05.02. 2024 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Aby mohly součástky používané v elektronice nabízet stále lepší vlastnosti, neobejde se jejich vývoj beze změn, a to jak na úrovni použitých materiálů, tak i způsobů zapouzdření a souvisejících technologií. Žádnou výjimkou pochopitelně nejsou ani tranzistory.

Firma Nexperia zde třeba pro vývojáře průmyslových aplikací a jejich spínaných zdrojů nebo např. systémů s obnovitelnými zdroji energie přišla nedávno s FETy na bázi nitridu galia GaN (HEMT), které pro účely povrchové montáže dodá v pouzdrech typu CCPAK (copper-clip). Dvě desetiletí zkušeností s tímto způsobem SMD zapouzdření se tak mohou zúročit i v případě kaskádních spínačů GaN. Nová éra polovodičů se širokým zakázaným pásem, a také jednodušším buzením hradla, bude aktuálně spojena s tranzistory GAN039-650NTB, které vedle typického odporu v sepnutém stavu 33 mΩ počítají v případě provedení CCPAK1212i rovněž s chlazením na horní straně pouzder. K dispozici ale má být i možnost chlazení na opačné straně.

Více informací najdete v celé zprávě Nexperia now offers GaN FETs in compact SMD packaging CCPAK for industrial and renewable energy applications.

robenek@dps-az.cz