česky english Vítejte, dnes je sobota 13. červenec 2024

Napájení datových center: efektivně s MOSFETy onsemi

08.07. 2024 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Společnost onsemi opět skloňuje energetickou účinnost a související úspory, které nemusí být v případě výkonové elektroniky a datových center, ale také systémů sloužících k ukládání energie z globálního pohledu vůbec zanedbatelné. Stačí si jen uvědomit ohromné nároky všech aplikací s umělou inteligencí, kdy třeba v porovnání s klasickým požadavkem při vyhledávání nyní u řešení založených na AI spotřebujeme více než desetinásobek výkonu.

S rozumnou energetickou bilancí by proto mohlo pomoci spojení rodiny tranzistorů T10 PowerTrench® nejnovější generace (SGT) a 650V MOSFETů EliteSiC, které zároveň klade důraz i na zastavěnou plochu na desce. Zvláště, když uvážíme, že k příslušné konverzi mezi napájecí sítí a procesorem dochází v takovém případě hned čtyřikrát.

Ve srovnání s předchozí generací pak u současných MOSFETů na bázi karbidu křemíku výrobce např. počítá s polovičním nábojem hradla a také menší energií uloženou ve výstupní kapacitě (Eoss), resp. nábojem Qoss zmenšeným o 44 %. Vyřešilo se též nežádoucí doznívání proudu při vypínání (tail).

Více informací najdete v celé zprávě onsemi Unveils Complete Power Solution to Improve Energy Efficiency for Data Centers.

robenek@dps-az.cz