česky english Vítejte, dnes je pátek 29. březen 2024

Buzení hradel v EV s novými obvody Renesas

10.03. 2023 | Zprávy
Autor: Jan Robenek
01.jpg

Elektromobily – to nejsou jen baterie, ale především spousta různých elektronických součástek, často i těch výkonových. Budou k nim rovněž patřit tranzistory IGBT nebo tolik populární MOSFETy na bázi karbidu křemíku (SiC), které je však pokaždé zapotřebí vhodným způsobem budit. Spolehlivě to vyřešíte např. s novými integrovanými budiči hradla RAJ2930004AGM, které světu nedávno představila společnost Renesas Electronics.

Řešení v malých pouzdrech typu SOIC16 zde podporuje 1200V výkonové prvky a za účelem přizpůsobení se bateriím elektrovozidel o vyšším napětí nabízí též i vlastní oddělení na úrovni 3,75 kVrms, což je také více než u produktů předchozí generace, které provázelo „pouze“ 2,5 kVrms. Systém kromě toho počítá s CMTI = 150 V/ns (Common Mode Transient Immunity) a třeba i výstupním špičkovým proudem 10 A. Na stránkách DPS Elektronika od A do Z jsme v podobném duchu nedávno psali též IPD znamená napájet inteligentně. Na malé ploše a třeba i v autě.

Více informací již najdete v celé zprávě Renesas Introduces New Gate Driver IC for IGBTs and SiC MOSFETs Driving EV Inverters.

robenek@dps-az.cz